1.收集、跟踪和分析不同行业的最新高功率密度功率变换器技术及其宽禁带功率器应用；    
2.开发与宽禁带功率器件（例如：SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT）相关的应用平台或者典型功率变换器，例如：无桥PFC、LLC/CCLC、全桥移相、车载/直流快充功率模块、电机驱动逆变器、并网逆变器、多电平变换器等；
3.评估、设计功率器件相关的应用系统方案，包括电路仿真图设计、PCB布板、调试、测试；
4.测量、评估新功率器件（主要为宽禁带器件）在不同功率电路拓扑中性能；
5.根据不同应用领域，撰写产品应用技术文档。

1.全日制本科及以上学历，微电子，物理学、半导体器件、材料物理、材料学、流体力学、电力电子技术、机械自动化等专业，接受应届毕业生；
2.熟悉半导体功率模块封装工艺流程，了解晶圆制程和封装制程工艺、半导体器件测试和功率器件应用、先进封装材料等相关知识；
3.了解SiC、IGBT等功率器件和模块基本知识；
4.了解热传导和流体基本概念，能够使用仿真软件进行热分析；
5. 熟练掌握半导体工艺和器件仿真软件（如Sentaurus、Silvaco、MEDICI等）, 熟悉Cadence或Tanner EDA或Mentor Graphics等版图工具软件，熟练使用AutoCAD、Solidworks、ANSYS、Moldflow等设计软件进行封装结构及模块仿真；
6. 熟悉功率模块终端应用更佳；
7.具有良好的沟通协调及团队协作能力。