芯塔电子国产六英寸二极管研发成功!

安徽芯塔电子科技有限公司新一代650V SiC SBD芯片研发于近日流片成功,器件性能达到行业领先水平!该产品芯塔电子拥有完全自主知识产权,晶圆外延材料及代工均为国产,此举加快了中国SiC功率器件的国产化进程,也是我司聚焦高科技创新,提升核心竞争力的重要体现。



项目自立项后,以倪炜江博士为首的研发团队历经三个月的辛苦研究,针对芯片布局、结构、工艺进行全方面的设计优化,并与合作单位多轮反复技术讨论、调试工作,成功完成芯片流片。晶圆测试结果表明,各项电学参数达到预期行业领先水平,为进一步完成工艺和器件设计的优化奠定了坚实基础。该产品高性能、低成本的优势也将给客户提供了更多高性价比的选择方案。


碳化硅(SiC)是宽禁带半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性,成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。近年来,随着6英寸碳化硅(SiC)晶圆在国际上的大规模投产,必将快速推进形成绿色节能的碳化硅(SiC)半导体产业链,更能为电力电子芯片产品的升级提供核心保证,推进新能源汽车、太阳能光伏、风力发电、高铁及轨道交通、智能电网、智能家电以及航空航天等产业发生革命性的改变。


未来,芯塔电子将在碳化硅和氮化镓领域继续向横向和纵深发展,通过事业合伙人的方式建设具有国际竞争力的人才团队,同时秉承合作共赢的原则,加强国内产业链的合作和协同创新,致力于成为国内领先、国际一流的功率半导体芯片公司,铸就国产功率器件和第三代半导体的灯塔,为功率器件的国产化以及新能源事业贡献自己的力量。

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