会上，安徽芯塔电子科技有限公司总经理倪炜江博士带来了题为“高性能高压碳化硅功率器件设计与技术”的主题报告。报告从材料特性、器件结构、发展现状等方面介绍高性能高压SiC器件的技术及发展趋势，以及芯塔电子在SiC功率器件方面的技术和产品布局。
目前，第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地，我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测，正加速实现全产业链国产化。倪炜江表示，虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场，但国产自给率较低，行业仍存巨大供需缺口，国产替代将是未来重要的发展方向。芯塔电子愿与产业链优秀企业和团队深入合作，共同打造基于全国产的第三代半导体产业生态圈。
芯塔电子目前可以提供600-1200V 各种各种型号和规格的SiC肖特基二极管；4英寸、6英寸SiC肖特基二极管的裸晶圆、裸芯片；SiC功率模块和客制化SiC肖特基二极管器件；SiC生产线的建线技术服务，包括设备、工艺、产能和技术规划。基于国产工艺平台、国产外延和自主知识产权的6英寸SiC MOSFET器件（ 1200V 40mΩ，80mΩ ）。
半导体是当今信息技术产业高速发展的源动力，已广泛渗透与融合到国民经济和社会发展的每个角落，是实现数字中国和智慧社会发展战略的支撑力量。半导体的机会和增长来自新兴应用市场，随着人工智能、5G、物联网、智能汽车、智能传感、光电产业、自动驾驶、智慧医疗、VR/AR、无线充电、屏下指纹、生物识别、工业互联网、智慧工厂等新兴应用迅猛发展，将为半导体行业带来更大的增长机会。
本次峰会亮点纷呈，会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G 射频领域的技术进展与创新应用，推进相关领域市场产品国产化替代。共有9位嘉宾主持人，36个专家学者以及企业代表就各自领域的技术现状、应用趋势、机遇与挑战进行精彩解析、分享和探讨，同时针对碳化硅材料、氮化镓材料，器件、工艺、封装及应用技术，研发实际中遇到的问题及最新解决思路及方案等进行了详细透彻的讲解，助推中国第三代半导体产业快速健康发展。
