近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步丰富了公司的产品系列，彰显了芯塔电子在国内SiC领域的竞争力。目前，该产品已经给国内军工、新能源汽车、光伏储能、充电桩等领域头部企业进行了销售。
芯塔电子新一代SiC MOSFET晶圆及器件
芯塔电子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技术平台。技术团队历经数月的辛苦研究，针对芯片布局、结构、工艺进行全方面的设计优化，并与国内合作单位进行了多轮技术讨论、调试工作，快速完成芯片流片，取得预期的芯片测试结果。新一代产品的材料、设计、代工等环节均在国内完成，是真正意义上的纯国产化产品，加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程。
芯塔电子新一代SiC MOSFET选型表
技术团队通过优化设计，结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。新一代产品不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。
芯塔电子1200V/40mΩ SiC MOSFET性能参数
芯塔电子本次发布的 SiC MOSFET 器件低优值因子QG x RDS(ON) 是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小，效率更高。在相同的测试条件下，芯塔电子 1200V/40mΩ SiC MOSFET的优值因子比国外C品牌低25%，在一众同类品牌中优势尽显。