碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）

芯塔电子SiC SBD应用于电源PFC、充电桩、光伏逆变器、微型逆变器、数据中心服务器电源、新能源汽车、储能、UPS、工业变频等领域。产品具有无反向恢复电流、超高工作频率、正温度系数的正向压降等优势。SiC器件与Si器件相比开关损耗降低30%以上，可提升整体系统效率2%以上。芯塔电子第五代SiC SBD基于自主开发的XQ2.0技术平台，产品具有低正向压降、高浪涌电流和雪崩能力等技术优势。

型号	阻断电压（V）	额定电流（A）	正向压降（V）	封装形式	总电容电荷（nC）
TD5G04065A	650	4	1.43	TO-220-2	11
TD5G04065L	650	4	1.43	DNF5*6	11
TD5G04065E	650	4	1.43	TO-252-2	11
TD5G04065M	650	4	1.43	DNF8*8	11
TD5G06065A	650	6	1.38	TO-220-2	22
TD5G06065E	650	6	1.38	TO-252-2	22
TD5G06065L	650	6	1.38	DNF5*6	22
TD5G06065M	650	6	1.38	DNF8*8	22
TD5G12065D	650	12	1.38	TO-247-3	22
TD5G08065A	650	8	1.4	TO-220-2	28
TD5G08065E	650	8	1.4	TO-252-2	36
TD5G08065L	650	8	1.4	DNF5*6	28
TD5G08065M	650	8	1.65	DFN 8*8	38
TD5G16065D	650	16	1.4	TO-247-3	28
TD5G10065A	650	10	1.41	TO-220-2	36
TD5G10065E	650	10	1.41	TO-252-2	36
TD5G10065L	650	10	1.41	DNF5*6	36
TD5G10065G	650	10	1.41	TO-263-2	36
TD5G15065A	650	15	1.42	TO-220-2	46
TD5G30065D	650	30	1.42	TO-247-3	46
TD5G20065A	650	20	1.41	TO-220-2	75
TD5G20065H	650	20	1.41	TO-247-2	75
TD5G40065D	650	40	1.41	TO-247-3	75
TD5G02120A	1200	2	1.41	TO-220-2	13
TD5G02120E	1200	2	1.41	TO-252-2	13
TD5G05120A	1200	5	1.41	TO-220-2	37
TD5G05120H	1200	5	1.41	TO-247-2	37
TD5G05120E	1200	5	1.4	TO-252-2	36
TG5G05120G	1200	5	1.4	TO-263-2	36
TD5G06120E	1200	6	1.47	TO-252-2	36
TD5G10120D	1200	10	1.41	TO-247-3	37
TD5G08120A	1200	8	1.48	TO-220-2	53
TD5G08120H	1200	8	1.75	TO-247-3	53
TD5G16120D	1200	16	1.48	TO-247-3	53
TD5G10120A	1200	10	1.48	TO-220-2	61
TD5G10120H	1200	10	1.48	TO-247-2	61
TD5G10120G	1200	10	1.48	TO-263-2	61
TD5G20120D	1200	20	1.48	TO-247-3	61
TD5G20120A	1200	20	1.47	TO-220-2	126
TD5G20120H	1200	20	1.47	TO-247-2	126
TD5G20120G	1200	20	1.47	TO-263-2	126
TD5G40120D	1200	40	1.47	TO-247-3	126
TD5G30120H	1200	30	1.48	TO-247-2	208
TD5G40120H	1200	40	1.5	TO-247-2	231
TD5G60120H	1200	60	1.65	TO-247-2	450