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碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)
芯塔电子SiC SBD应用于电源PFC、充电桩、光伏逆变器、微型逆变器、数据中心服务器电源、新能源汽车、储能、UPS、工业变频等领域。产品具有无反向恢复电流、超高工作频率、正温度系数的正向压降等优势。SiC器件与Si器件相比开关损耗降低30%以上,可提升整体系统效率2%以上。芯塔电子第五代SiC SBD基于自主开发的XQ2.0技术平台,产品具有低正向压降、高浪涌电流和雪崩能力等技术优势。
型号
阻断电压(V)
额定电流(A)
正向压降(V)
封装形式
总电容电荷(nC)
规格书
TD5G04065A
650
4
1.43
TO-220-2
11
TD5G04065L
650
4
1.43
DNF5*6
11
TD5G04065E
650
4
1.43
TO-252-2
11
TD5G04065M
650
4
1.43
DNF8*8
11
TD5G06065A
650
6
1.38
TO-220-2
22
TD5G06065E
650
6
1.38
TO-252-2
22
TD5G06065L
650
6
1.38
DNF5*6
22
TD5G06065M
650
6
1.38
DNF8*8
22
TD5G12065D
650
12
1.38
TO-247-3
22
TD5G08065A
650
8
1.4
TO-220-2
28
TD5G08065E
650
8
1.4
TO-252-2
36
TD5G08065L
650
8
1.4
DNF5*6
28
TD5G08065M
650
8
1.65
DFN 8*8
38
TD5G16065D
650
16
1.4
TO-247-3
28
TD5G10065A
650
10
1.41
TO-220-2
36
TD5G10065E
650
10
1.41
TO-252-2
36
TD5G10065L
650
10
1.41
DNF5*6
36
TD5G10065G
650
10
1.41
TO-263-2
36
TD5G15065A
650
15
1.42
TO-220-2
46
TD5G30065D
650
30
1.42
TO-247-3
46
TD5G20065A
650
20
1.41
TO-220-2
75
TD5G20065H
650
20
1.41
TO-247-2
75
TD5G40065D
650
40
1.41
TO-247-3
75
TD5G02120A
1200
2
1.41
TO-220-2
13
TD5G02120E
1200
2
1.41
TO-252-2
13
TD5G05120A
1200
5
1.41
TO-220-2
37
TD5G05120H
1200
5
1.41
TO-247-2
37
TD5G05120E
1200
5
1.4
TO-252-2
36
TG5G05120G
1200
5
1.4
TO-263-2
36
TD5G06120E
1200
6
1.47
TO-252-2
36
TD5G10120D
1200
10
1.41
TO-247-3
37
TD5G08120A
1200
8
1.48
TO-220-2
53
TD5G08120H
1200
8
1.75
TO-247-3
53
TD5G16120D
1200
16
1.48
TO-247-3
53
TD5G10120A
1200
10
1.48
TO-220-2
61
TD5G10120H
1200
10
1.48
TO-247-2
61
TD5G10120G
1200
10
1.48
TO-263-2
61
TD5G20120D
1200
20
1.48
TO-247-3
61
TD5G20120A
1200
20
1.47
TO-220-2
126
TD5G20120H
1200
20
1.47
TO-247-2
126
TD5G20120G
1200
20
1.47
TO-263-2
126
TD5G40120D
1200
40
1.47
TO-247-3
126
TD5G30120H
1200
30
1.48
TO-247-2
208
TD5G40120H
1200
40
1.5
TO-247-2
231
TD5G60120H
1200
60
1.65
TO-247-2
450
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