碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）

芯塔电子SiC SBD应用于电源PFC、充电桩、光伏逆变器、微型逆变器、数据中心服务器电源、新能源汽车、储能、UPS、工业变频等领域。产品具有无反向恢复电流、超高工作频率、正温度系数的正向压降等优势。SiC器件与Si器件相比开关损耗降低30%以上，可提升整体系统效率2%以上。芯塔电子第五代SiC SBD基于自主开发的XQ2.0技术平台，产品具有低正向压降、高浪涌电流和雪崩能力等技术优势。

碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）

芯塔电子SiC MOSFET应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品具有高耐压、低导通电阻、高可靠性、高开关频率的性能优势。SiC器件与Si器件相比开关频率提高5倍以上，开关损耗降低50%以上，体统体积可减小50%以上，新能源汽车电机控制器中应用SiC器件续航里程增加10%左右。芯塔电子第二代自主开发的SiC MOSFET基于自主开发的XM 2.0技术平台，

600-3300V客制化SiC功率器件

芯塔电子可以为客户定制化SiC功率器件和裸芯片，以满足客户特殊的应用需求。