日本瑞萨投资900亿日元用于甲府工厂

日本瑞萨5月18日宣布，将对其位于甲府的甲府工厂进行价值900亿日元的投资。他们指出，虽然工厂于2014年10月关闭，但瑞萨电子计划在2024年重新开放该工厂，作为能够制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半导体晶圆厂。瑞萨表示，随着碳中和势头的增长，预计全球对供应和管理电力的高效功率半导体的需求将在全球范围内急剧增加。瑞萨特别预计电动汽车(EV)的需求将快速增长，因此计划提高其IGBT等功率半导体的产能，为脱碳做出贡献。

安世半导体与京瓷展开三代半合作

5月19日，Nexperia（安世半导体）官网发文称，他们将和日本京瓷集团子公司KYOCERA AVX Components Salzburg，就氮化镓汽车电源模块达成合作伙伴关系，旨在开发用于电动汽车的GaN功率组件。此次，京瓷集团的基板技术有望为开发车规级氮化镓功率模块提供助力，京瓷的多层氮化硅陶瓷覆铜基板技术已经在车规级IGBT方面应用广泛。

信越化学宣布扩大GaN量产系统

5月18日，全球第一大半导体硅片厂商信越化学（Shin-Etsu Chemical）官网宣布，他们将扩大其GaN量产系统，加速氮化镓外延生长衬底的商业化。信越表示，他们在2019年与美国Qromis开展了第一次合作，双方就制造GaN衬底材料的专利Qromis Substrate Technology(QST™)签订了许可协议。信越负责生产QST衬底和GaN-on-QST外延晶片，并借助QST补充其现有的GaN-on-Si产品阵容。而在信越此次的扩产中，它将与Qromis继续展开深入合作，通过其专有技术改进6吋和8吋的QST衬底供应系统，要将产量翻倍，以满足市场快速增长的需求。

Marelli宣布为标致运动提供SiC解决方案

5月16日，Marelli官网宣布，他们将为Peugeot Sports（标致运动）的9X8超级跑车提供基于碳化硅逆变器的工程设计和供应等。Marelli是意大利设备制造商，2018年被日本Calsonic Kansei收购。此次Marelli标致与合作，Calsonic将提供高性能电动机和基于碳化硅的逆变器，而开发的重点是最大限度地提高系统的效率和可靠性。