日本瑞萨投资900亿日元用于甲府工厂
日本瑞萨5月18日宣布,将对其位于甲府的甲府工厂进行价值900亿日元的投资。他们指出,虽然工厂于2014年10月关闭,但瑞萨电子计划在2024年重新开放该工厂,作为能够制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半导体晶圆厂。瑞萨表示,随着碳中和势头的增长,预计全球对供应和管理电力的高效功率半导体的需求将在全球范围内急剧增加。瑞萨特别预计电动汽车(EV)的需求将快速增长,因此计划提高其IGBT等功率半导体的产能,为脱碳做出贡献。
安世半导体与京瓷展开三代半合作
5月19日,Nexperia(安世半导体)官网发文称,他们将和日本京瓷集团子公司KYOCERA AVX Components Salzburg,就氮化镓汽车电源模块达成合作伙伴关系,旨在开发用于电动汽车的GaN功率组件。此次,京瓷集团的基板技术有望为开发车规级氮化镓功率模块提供助力,京瓷的多层氮化硅陶瓷覆铜基板技术已经在车规级IGBT方面应用广泛。
信越化学宣布扩大GaN量产系统
Marelli宣布为标致运动提供SiC解决方案