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Soitec宣布已发布首款200毫米碳化硅晶圆

近日，设计和制造创新半导体材料的行业领导者Soitec 宣布，公司已发布其首款 200 毫米碳化硅 SmartSiC 晶圆。随着该版本的发布，Soitec 能够将其 SiC 产品组合扩大到 150 毫米以上，将其 SmartSiC 晶圆的开发提升到一个新的水平，并满足汽车市场不断增长的需求。

据介绍，新产线将使用 Soitec 专利的 SmartCut 技术来生产创新型 SmartSiC™优化衬底，该种衬底由 Soitec 位于格勒诺布尔的 CEA-Leti 的衬底创新中心研发，将在工业及电动汽车应用中扮演关键作用。基于该种衬底的芯片可为电源系统带来显著的能效增益，帮助电动汽车提升续航里程、缩短充电时间并降低成本。目前，Soitec 已经与主要的碳化硅器件制造商展开基于 SmartSiC 合作，预测将于 2023 下半年开始实现该产品的盈利。

汉磊首度表态将进入8寸SiC制程

据台媒钜亨网报道，中国台湾厂商汉磊在去年年底指出，目前 6 吋 SiC 需求持续畅旺、产能满载，3 年内则产能将扩充至 5000 片，而汉磊也首度表态将进入 8 吋 SiC 制程，预期 8 吋 SiC 基板成本将大幅减少 2-3 成，汉磊也不缺席将打入，扩大营运动能。

意法采购碳化硅晶体生长生产系统

5月2日，德国PVA CrystalGrowing Systems GmbH公司官网称，意法半导体跟PVA 签订了一项协议，采购碳化硅晶体生长生产系统。PVA还表示，他们提供的是8英寸的碳化硅晶体生长系统，该系统根据意法半导体自己的工艺和操作进行定制。

纬湃宣布获得20亿欧元订单

涉及碳化硅半导体

5月2日，Vitesco Technologies（纬湃）官网宣布，他们获得一份价值20亿欧元（约140亿元人民币）的订单，将为现代汽车集团提供新一代轴驱动平台——EMR4。据悉，该驱动平台是一个高度集成的400 V/160 kW三合一单元，其逆变器采用了碳化硅半导体，可使EMR4平台更加高效和强大，同时支持特别高的可扩展性。

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