安徽芯塔电子科技有限公司1200V 80毫欧的SiC MOSFET芯片研发于近日取得最新突破，器件性能达到预期目标！此举加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程（包括自主的IP、材料、设计、工艺等），彰显了我司科技创新的核心竞争力。
芯塔电子自确定1200V SiC MOSFET项目立项后，以倪炜江博士为首的研发团队历经数月的辛苦研究，针对芯片布局、结构、工艺进行全方面的设计优化，并与国内合作单位多轮反复技术讨论、调试工作，快速完成芯片流片，并取得预期的芯片测试结果。由于SiC MOSFET的难度大、壁垒高，相比于国外在SiC MOSFET产品和技术上的成熟，国内SiC MOSFET依旧无成熟的产品，自主知识产权、先进的设计和核心的工艺等是国内遇到的最大挑战。芯塔电子国产MOSFET技术快速突破离不开团队多年的技术积累和创新工作以及产业链的紧密合作。
单晶碳化硅是一种新颖的半导体材料，具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。由于它制成的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)器件,开关速度约10倍于传统硅基产品，所以广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合。
据统计，在新能源汽车电驱动中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整车效率提高5%-10%；在光伏逆变器中使用SiC功率器件，整机的能耗降低50%；电力电子行业专家介绍，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其开关损耗降达70%，其市场前景十分广泛。
未来，芯塔电子将在碳化硅和氮化镓领域继续向横向和纵深发展，通过事业合伙人的方式建设具有国际竞争力的人才团队，同时秉承合作共赢的原则，加强国内产业链的合作和协同创新，致力于成为国内领先、国际一流的功率半导体芯片公司，铸就国产功率器件和第三代半导体的灯塔，为功率器件的国产化以及新能源事业贡献自己的力量。
