2022年8月，芯塔电子发布其自主开发的第二代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET产品量产之后，备受瞩目。产品一经推出已获国内军工、新能源汽车、光伏储能、充电桩领域头部客户批量订单。近日，芯塔电子首款国产15V驱动1700V/750mΩ SiC MOSFET 关键性能参数测试达到预期水平，即将正式对外发布。
芯塔电子1700V/750mΩ SiC MOSFET晶圆
项目自立项以来，芯塔电子以倪炜江博士为核心的技术团队通过和合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术，研究栅氧的物理机理，改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率；通过DOE实验，研究了关键注入工艺及沟道长度对阈值电压和导通电阻的影响，实现了阈值电压和导通电阻的优化，提高了器件的可靠性和效率。芯塔研发团队在方寸毫厘之间精益求精，产品开发之路积累的每一小步，终将成为芯塔智造的一大步。
芯塔电子1700V / 750mΩ SiC MOSFET VGS=15V下导通电阻典型值700 mΩ，VGS=20V下导通电阻典型值570 mΩ，产品最大的亮点之一就是可满足15V驱动。15V驱动的SiC MOSFET产品对比20V驱动优势更加明显：一是采用15V驱动的产品兼容性更高，系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗；三是国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易，使得客户可以充分利用 SiC MOSFET 的优势。
SiC MOSFET属于第三代半导体功率器件高端产品，15V驱动的产品开发难度更大，对产品设计水平和制造工艺的要求更高，因此国内可以提供15V驱动SiC MOSFET产品企业更是凤毛麟角。在此背景下，芯塔电子首款15V驱动SiC MOSFET产品，这对国内SiC行业的重要性和意义显而易见，意味着国内外技术差距正在逐步缩小，SiC器件国产化替代进程加速，同时也是芯塔电子发展道路上具有里程碑意义的重要一步。
目前，我国新能源产业步入跨越式发展阶段，SiC MOSFET作为应用最广泛的碳化硅功率器件，早已在国内相关新能源行业龙头企业的旗舰产品系列中广泛使用，而且需求在迅速扩大，国产化空间十分广阔。芯塔电子已从人才储备、技术研发、平台建设、供应链保障、质量管控等方面做好全方位战略布局，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的国产化碳化硅功率芯片为己任，助力实现国家“双碳”战略的宏伟目标。
