芯塔电子第二代SiC MOSFET产品具有高击穿电压、高抗干扰能力、高可靠性、低反向漏电流、低米勒电容、低优值因子（Q_GD*R_DS）以及高温下更低导通电阻等优势。TM2G0080120JA型号已通过权威第三方AEC-Q101车规级认证及HV-H3TRB加严可靠性考核。