2024-05-08
创新技术
  • 自主设计研发的SiC二极管,采用国际最先进的MPS技术,与单纯的SBD/JBS结构相比,可大大提升其浪涌电流能力,以及在承受高反向电压时可大幅降低漏电流的能力。

  • 基于XM3.0自主技术平台的开发的第三代SiC MOSFET,采用台阶状精细结构原胞,高保护效率的复合终端结构。更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的扰能力、领先的器件性能,真正完全国产化的SiC MOSFET产品。


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