自主设计研发的SiC二极管，采用国际最先进的MPS技术，与单纯的SBD/JBS结构相比，可大大提升其浪涌电流能力，以及在承受高反向电压时可大幅降低漏电流的能力。

基于XM3.0自主技术平台的开发的第三代SiC MOSFET，采用台阶状精细结构原胞，高保护效率的复合终端结构。更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的扰能力、领先的器件性能，真正完全国产化的SiC MOSFET产品。