新的一年，芯塔电子会在不同维度发力。产品上，继续坚持创新，正式推出第三代碳化硅MOSFET产品；不断丰富完善产品线，包括高电压平台的碳化硅分立器件及功率模块。

市场上，我们会进一步继续推进新能源汽车、充电桩、光伏储能、工业电源等领域的客户，扩大市场份额，实现年销售额在2023年基础上翻3-5倍。

我们将通过工艺优化、良率改进、质量控制、可靠性提升等一系列措施，为客户提供更高品质、更优性能、更具性价比的产品并开启定制化服务。芯塔电子始终围绕着客户的需求，补全及优化客户端的产品布局，为客户持续创造价值。

碳化硅器件企业商业模式主要有Fabless和IDM。国内SiC功率器件的厂商包括Fabless和Foundry大多有向IDM模式演进的趋势。

但IDM模式也并非适用于任何企业。目前国内很多碳化硅厂商体量并不大，尚未实现盈利，若是大规模建厂的话，运营成本太高，对现金流的考验非常大，工艺开发的难度和客户认可度也是问题。

如果能得到代工厂的支持，Fabless厂商在设计方面确实更具灵活性，在碳化硅MOS方面的研发进程也较快，更适合具备高研发能力的创业团队选择布局。同时，代工厂的资质也可以为其供应链可靠性背书。结合当前碳化硅产业的发展阶段和时间窗口等因素来看，国内IDM和Foundry + Fabless两种商业模式将会长期并存，而且各自满足终端市场不同的应用场景。

对当前碳化硅产业发展处于早中期阶段的情况，能深度合作的Fabless + Foundry，如形成C-IDM的模式会更有优势。因此，有国产Foundry资源，同时又有核心设计和工艺能力，具备长期创新能力的技术团队会有更大的竞争优势。

适度竞争，对提高产品性价比、让利客户非常重要，但行业内部一旦滑向恶性、单纯价格战的“内卷”，不仅意味着企业发展空间受挤压，还会造成行业发展要素的内耗。这让企业缺乏赖以支持研发投入的足够利润，让产品技术创新严重滞后，甚至面临生存艰难的窘境。

对于碳化硅企业来说，只有增强“内力”，打磨好自己的产品，开展技术创新和采取差异化竞争策略，是当下避免产业“内卷”的破解之法。同时，通过积极布局细分市场和领域，也能更快驶入“蓝海”，防止过度的相互“搏杀”而分散冲刺产业发展的动能。

芯塔电子依靠团队近二十年的技术及工艺积累，不断修炼内功，提升竞争力。经过多年的发展，我们得到了越来越多客户的认可和信赖，也适应市场的高速发展需求。

在目前竞争激烈的行业态势下，芯塔电子对客户终端应用的深刻理解，提前挖掘终端应用蓝海市场，精准定义新产品，根据客户的产品路线和需求完善自身产品线，积极开拓新应用市场，保持核心优势，为客户持续赋能。

在中大功率的应用中采用功率模块的方案，可以进一步的提高产品的性能和功率密度。SiC目前除去新能源汽车主驱，在大部分应用中仍然是以单管为主，功率模块的潜力是非常大的。不同于IGBT功率模块，SiC功率模块并没有形成统一的标准。针对客户的一些具体应用，SiC功率模块在电路拓扑、封装外形上面会有很大的变化。

更好的设计才能更好的发挥出SiC功率模块的性能。目前传统的IGBT模块封装厂，在工艺和设计上是不适合SiC功率模块的，所以一些创新的、定制化的产品开发是必不可少的。芯塔电子布局专门的SiC功率模块产线，这样可以结合芯塔自身芯片开发出性能上更出色、能引领业界标准的功率模块方案。

我们认为2024年将是SiC功率模块爆发的元年，SiC功率模块将在工业、光储、充电桩、新能源汽车等市场开始大规模的应用和导入。

芯塔电子湖州SiC功率模块线目前产线已经通线，产品试产已经开始。2024年3月份开始进入到量产爬坡阶段

芯塔电子1200V SiC MOSFET已经通过权威第三方车规论证和高压H3TRB，并且已经在新能源车的DC/DC导入，计划2024年底导入OBC。另外，我们已经与头部整车厂以及T1厂商达成了主驱碳化硅芯片定点开发的战略合作协议，计划2024年初推出主驱碳化硅芯片，2025年初量产主驱芯片。2024年是芯塔电子SiC产品在新能源汽车领域大放异彩的一年。我们将给客户提供稳定、可靠、优质的SiC功率器件及创新应用方案。

芯塔电子自2022年初首款SiC MOSFET量产后，在不到两年的时间里先后推出了650V/1200V/1700V三个电压平台18种不同型号的产品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干扰、优异热管理能力及高可靠性的的封装外形。

产品具有出色的热性能和电气性能，对标国际主流厂商产品。2023年SiC MOSFET出货量超过百万只。

面对最炙手可热的新能源汽车市场，目前只有极少数国内厂商可提供高品质、高可靠的SiC MOSFET产品。芯塔电子自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得全套AEC-Q101车规级可靠性认证及高压960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核，跻身为国内少数SiC MOSFET产品通过双重考核的厂商之一。

在供应链方面，碳化硅设计公司面临的两大挑战，一是衬底、外延等核心材料的供应保障，二是晶圆代工和封装代工产能的保障。目前突显的挑战主要是晶圆代工产能。芯塔电子在供应链的资源绑定与布局稍有不同。

从衬底、外延原材料上看，目前国内发展迅速，很多公司遍地崛起、竞争激烈，快速推动了产业的极大进步，成本的大幅降低。这个环节中的核心竞争力是单晶衬底。所以芯塔的布局是通过外延厂来锁定衬底厂。我们在2024年已经与两家优质的衬底厂完成了长期战略合作协议。目前国内有量产能力的碳化硅晶圆代工厂其实并不是很多，芯塔电子与其中一家代工厂长久深度合作绑定，双方共同扶持、共同成长。这种合作，不光在产品设计上对外有差异化，在工艺平台的适配性上，也有形成了技术壁垒。面对未来的产业竞争态势，芯塔电子进行了更多方向上的战略布局，将充分发挥芯塔电子团队在产线工艺平台中的专业的技术能力。

封装代工在国内就很成熟了，这里面也有我们自身的Knowhow。相信在供应链伙伴们的大力支持下，芯塔电子可以充分发挥设计能力、工艺能力的专业性和灵活性，用以支持不断提升的市场及客户需求。同时作为碳化硅功率器件国产化倡导者及引领者，芯塔电子也将与合作伙伴一起密切协同，积极推动碳化硅材料和相关设备的国产化导入，为国内碳化硅整体事业的快速发展贡献一份力量。

芯塔电子的产品定义由具有二十年电力电子终端研发的资深技术专家负责。产品定义以市场和客户需求为导向，联合客户一起定义复杂的产品，着重挖掘蓝海市场的新产品，为终端客户最大程度地创造价值。

我们针对主驱逆变器、OBC、暖通空调、辅助电源等特定的应用场景，完善相关的产品线及配套应用方案，为某些细分领域开发的器件正向集成化和智能化发展，最大化的为终端客户创造价值。