碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)

芯塔电子SiC MOSFET应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品具有高耐压、低导通电阻、高可靠性、高开关频率的性能优势。SiC器件与Si器件相比开关频率提高5倍以上,开关损耗降低50%以上,体统体积可减小50%以上,新能源汽车电机控制器中应用SiC器件续航里程增加10%左右。芯塔电子第二代自主开发的SiC MOSFET基于自主开发的XM 2.0技术平台,

型号 漏源电压(V) 导通电阻(mΩ) 漏极电流(A) 封装形式 下载文件
TM2G1000170J 1700 1000 5 TO-263-7
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