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碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)
芯塔电子SiC MOSFET应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品具有高耐压、低导通电阻、高可靠性、高开关频率的性能优势。SiC器件与Si器件相比开关频率提高5倍以上,开关损耗降低50%以上,体统体积可减小50%以上,新能源汽车电机控制器中应用SiC器件续航里程增加10%左右。芯塔电子第二代自主开发的SiC MOSFET基于自主开发的XM 2.0技术平台,
型号
漏源电压(V)
导通电阻(mΩ)
漏极电流(A)
封装形式
规格书
TM2G1000170J
1700
1000
5
TO-263-7
TM2G0650170D
1700
650
9
TO-247-3
TM2G0080120J
1200
80
42
TO-263-7
TM2G0080120K
1200
80
42
TO-247-4
TM2G0080120D
1200
80
42
TO-247-3
TM2G0040120K
1200
40
75
TO-247-4
TM2G0040120D
1200
40
75
TO-247-3
TM2G0060065K
650
60
27
TO-247-4
TM2G0060065J
650
60
27
TO-263-7
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