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碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)
芯塔电子SiC MOSFET应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品具有高击穿电压、高抗干扰能力、高可靠性、低反向漏电流、低米勒电容、低优值因子(QGD*RDS)以及高温下更低导通电阻等优势。TM2G0080120JA型号已通过权威第三方AEC-Q101车规级认证及HV-H3TRB加严可靠性考核。
型号
漏源电压(V)
导通电阻(mΩ)
漏极电流(A)
封装形式
规格书
TM2G0060065K
650
60
56
TO-247-4
TM2G0060065D
650
60
56
TO-247-3
TM2G0060065JA
650
60
54
TO-263-7
TM2G0060065M
650
60
51
DFN 8*8
TM2G0060065T
650
60
67
TOLL
TM2G0040120D
1200
40
75
TO-247-3
TM2G0040120K
1200
40
75
TO-247-4
TM2G0040120KA
1200
40
75
TO-247-4
TM2G0040120JA
1200
40
72
TO-263-7
TM2G0080120D
1200
80
42
TO-247-3
TM2G0080120K
1200
80
42
TO-247-4
TM2G0080120KA
1200
80
42
TO-247-4
TM2G0080120JA
1200
80
40
TO-263-7
TM2G0650170D
1700
650
9
TO-247-3
TM2G0650170F
1700
650
7
TO-220FP
TM2G0650170J
1700
650
8
TO-263-7
TM2G5000170B
1700
5000
1.6
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