北京大学硅基GaN研究又有新纪录
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最近,北京大学等团队又创造了新纪录——他们开发了一种硅基GaN,其迁移率达到了1090cm2/V-s,相比之前的最高记录提高了51%左右。
据介绍,通过厚的位错过滤层,减少n-GaN中的穿透位错,是北大取得这一成果的关键。这项研究最近刊登在《应用物理学快报 (Applied Physics Letters)》上。
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