SiC产品又有新进展
近日，日本国立产业技术综合研究所（AIST）对外公布，他们成功将SiC垂直MOSFET和SiC CMOS进行了单芯片集成，电流提升了4倍，可以做到1500V高压绝缘。
西班牙铁路公司加码布局全碳化硅
最近，西班牙一家铁路公司再次加码部署全碳化硅技术，他们发现，相比传统牵引系统，碳化硅可将能耗降低70%，体积可缩小30%，列车整体能耗可降低15%。
据测算，如果中国铁路采用碳化硅技术，每年可节省255万吨煤。
GaN和SiC功率半导体市场
2027年将达到45亿美元
根据Global Market Insights进行的研究，到2027年，GaN和SiC功率半导体市场将超过45亿美元。
各国政府采取的采用5G技术的举措将有助于推动该行业的发展。此外，更小的SiC功率模块占板面积和更高的能源效率将推动智能电网应用和智能电表的需求。
日本成功开发全球第一片
碳化硅单片电源IC
日本国立先进工业科学技术研究所（以下简称“AIST”） 、先进电力电子研究中心功率器件组冈本光夫高级研究员，原田伸介研究组组长，电源电路整合团队 Atsushi Yao，研究员 Hiroshi Sato等采用碳化硅（SiC）半导体，耐压1.2kV级垂直 MOSFET和下设的CMOS驱动电路集成在同一芯片上，实现了世界上第一个单片电源 IC并确认其开关操作。
台积电4nm提速，加紧布局3D封装
据台媒经济日报报道，台积电在昨日的技术论坛上表示，公司4纳米提前一季在今年第3季试产，3纳米也可望如期于明年下半年量产之际，公司也持续布局更先进制程，以及特殊制程开发，包括纳米层片装置、创新材料布局等，要持续拉开与竞争对手的差距。
日本光刻胶大厂断供中国多家晶圆厂
据媒体报道，由于KrF光刻胶产能受限以及全球晶圆厂积极扩产等原因，日本信越化学已经向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，甚至已通知部分中小晶圆厂停止供货KrF光刻胶，国内多家晶圆厂将会面临KrF光刻胶大缺货的处境。
